研究主題

電漿科學與應用

本研究室的研究著眼於低溫電漿在基礎科學與應用方面的研究。低壓電漿在半導體業，光電業，LCD面板製造業等多種工業上被廣泛地應用，包含蝕刻，薄膜製備，表面改質與污染物處理等。我們目前的研究工作著重於以下三部份：

1.電漿製程技術

2.薄膜與奈米材料製備技術

3.電漿數值模擬

在基礎研究方面，我們以實驗與數值模擬之方式研究電漿化學、電漿物理以及電漿與表面之交互作用。在應用領域方面，我們以電漿從事材料製程與表面改質等工作，進而探討電漿對整個製程與材料特性的影響。藉由基礎與應用方面研究的整合，我們將探討電漿製程於工程應用上與基礎科學相關的若干課題。

最新研究

1. 低壓電漿診斷及數值模擬與其在材料製程上之應用 (Diagnostic and Modeling of Low Pressure Plasmas and Its Applications in Materials Processing) 國科會NT 1,090,000, 08/01/2008-07/31/2009

2. 氮氣大氣電漿模擬　(Numerical Simulation of Nitrogen Atmospheric Plasmas) 行政院原委會核研所NT 610,000, 01/01/2008~12/31/2008

榮譽獎項

代表著作 所有著作

1. C. C. Hsu, J. Hoang, V. Lu, and J. P. Chang, “Feature profile evolution during shallow trench isolation etch in chlorine-based plasmas. II. Coupling reactor and feature scale models” J. Vac. Sci. Tech. B. 26, 1919-1925 (2008). (SCI,EI)

 

2. J. Hoang, C. C. Hsu, and J. P. Chang, “Feature profile evolution during shallow trench isolation etch in chlorine-based plasmas. I. Feature scale modeling”, J. Vac. Sci. Tech. B. 26, 1911-1918 (2008). (SCI,EI)

 

3. C. C. Hsu, M. J. Titus, and D. B. Graves, “Measurement and Modeling of Time and Spatial-Resolved Wafer Surface Temperature in Inductively Coupled Plasmas”, J. Vac. Sci. Tech. A . 25, 607-614 (2007). (SCI,EI)

 

4. C. C. Hsu, N. A. Nierode, J. W. Coburn, and D. B. Graves, “Comparison of Model and Experiment for Ar, Ar/O2 and Ar/O2/Cl2 Inductively Coupled Plasmas”, J. Phys. D—Appl. Phys. 39, 3272 (2006). (SCI, EI)